7nm工藝功耗降低35%！高通5G SoC曝光

　　【手機(jī)中國(guó) 新聞】2月22日消息，三星官網(wǎng)近日宣布，高通未來(lái)的5G移動(dòng)芯片將基于三星7nm LPP工藝打造，該技術(shù)節(jié)點(diǎn)會(huì)引入EUV（極紫外光刻）。早在去年5月，三星就首秀了7nm LPP EUV工藝，此番再次拿下高通大訂單，意味著三星這項(xiàng)新工藝在良品率上已經(jīng)得到了較好的控制，即將開(kāi)始量產(chǎn)。

　　三星7nm LPP EUV工藝相比目前的10nm FinFET工藝，在芯片尺寸上縮小了40%，性能提升10%，功耗下降35%。如果CPU、GPU頻率能夠再次提高，帶來(lái)的提升就十分可觀了。不過(guò)，相比性能提升，新工藝在功耗上的進(jìn)步更加讓我們驚喜，旗艦機(jī)日常使用滿兩天的好日子可能要來(lái)了！

　　三星表示，三星和高通的代工合作關(guān)系將至少維持10年，臺(tái)積電可真是要哭暈了。下一代高通頂級(jí)移動(dòng)平臺(tái)基本確定就是之前曝光的驍龍855。借助7nm LPP EUV工藝，驍龍855手機(jī)將為機(jī)身內(nèi)部提供更多的可用空間，手機(jī)廠商們可以在新機(jī)中置入更大的電池，或者采用更薄的機(jī)身設(shè)計(jì)。

版權(quán)所有，未經(jīng)許可不得轉(zhuǎn)載